聯電(2303)宣布，
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，公司自主研發的14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術，
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，已成功進入客戶晶片量產階段。出貨給主要客戶的14奈米量產晶圓，
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，良率已達先進製程的業界競爭水準。聯電執行長顏博文表示，
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，此次14奈米量產里程碑的達成，
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，是聯電與客戶攜手努力的成果，
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，這象徵以合作之模式，
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，將先進技術導入市場。同時，聯電與其他客戶的合作也在順利進行中，將持續優化此製程，充分發揮14奈米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優勢，以驅動次世代矽晶片於網路、人工智慧和各類消費產品等各領域的應用。聯電強調，14奈米FinFET製程效能競爭力已達業界領先標準，速度較28奈米增快55%，閘密度達兩倍，此外，功耗較28奈米減少約50%。此14奈米客戶晶片現正於聯電台南的Fab 12A晶圓廠生產中，未來將因應客戶需求，穩步擴充其14奈米產能。(時報資訊)，