英特爾明年中 回擊ARM陣營

     處理器大廠英特爾宣佈採用新一代3D電晶體Tri-Gate架構的22奈米製程,

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,已可以生產智慧型手機及平板電腦使用的系統單晶片(SoC),

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,預計明年中旬開始以該製程量產Atom處理器,

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,並希望藉此回攻由ARM陣營晶片供應商高通(Qualcomm)、輝達(NVIDIA)等所掌控的行動裝置核心應用處理器市場。
     智慧型手機及平板電腦的銷售暢旺,

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,但內建晶片有逾9成是採用ARM架構的應用處理器,

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,英特爾雖然推出Atom處理器應戰,但目前僅有摩托羅拉、聯想等少數手機廠採用,一直無法有效拓展市場佔有率。
     由於英特爾Atom處理器的功耗過高問題,是手機廠不想採用其晶片的主要原因,所以英特爾利用製程微縮來大幅降低功耗,昨日在舊金山舉行的國際電子元件會議(IEDM)中,宣佈新一代22奈米製程已可用來生產行動裝置SoC晶片,亦即英特爾將於明年推出、代號為Silvermont的Atom處理器。
     以製程技術來看,高通Snapdragon已經走到28奈米世代,輝達Tegra 3雖然仍採用40奈米投片,但明年初將推出的Tegra 4也將微縮到28奈米,德儀OMAP 5也是同樣採用28奈米製程。而英特爾目前量產中的智慧型手機用Atom處理器,仍使用32奈米製程生產。
     英特爾22奈米製程是目前全球唯一採用3D電晶體架構的製程技術,現在用來生產Ivy Bridge處理器,由於技術已經十分成熟,所以將在明年中旬左右開始用來生產新一代Atom處理器。據了解,採用22奈米製程的Atom晶片效能將較現在32奈米製程提高20~65%,功耗也能大幅降低到足以與ARM應用處理器相抗衡。
     對於ARM陣營來說,高通、輝達等業者明年仍將以28奈米為主要製程,台積電幾乎通吃所有代工訂單,但以晶圓代工廠的製程技術藍圖來看,要真正採用3D電晶體的鰭式場效電晶體(FinFET)架構,也要等到16/14奈米製程,亦即2014年之後才可能導入量產。,

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